美光和SK海力士在加速200层以上NAND闪存的开发
发布时间：2022-02-09 18:36 来源：IT之家 作者：文辉 阅读量：15364
全球半导体企业为了率先批量生产 200 层以上 NAND 闪存，展开了激烈的技术竞争三星电子计划在 2022 年底或 2023 年上半年推出 200 层以上 NAND 闪存，并在明年上半年开始批量生产
据 businesskorea 报道，三星电子原计划在 2021 年末开始量产 176 层 NAND，但考虑到市场情况，推迟到了 2022 年第一季度不过美国的美光已经开始量产 176 层 NAND，业内人士预测，三星电子将加快 200 层以上 NAND 闪存量产的步伐，以夺回被美光夺走的技术领先地位
业内人士称，三星电子将在 128 层的单片存储器上叠加 96 层，推出 224 层的 NAND 闪存与 176 层相比，224 层 NAND 闪存的生产效率和数据传输速度将提高 30%
另外，美光和 SK 海力士也在加速 200 层以上 NAND 闪存的开发。
但随着新兴细分领域的逐渐成长，对存储器仍有极大的需求，业内普遍对未来的行情持看好态度。叶茂盛表示，目前手机，笔记本计算机等仍为NAND闪存的主流应用，但纵观未来，云端相关的需求包含数据中心，AI以及车用相关领域的比重预计会有逐年扩大的趋势。
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