赛微电子：公司在碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC材料及制造方面具有技术氮化镓有更多的优势

有投资者在投资者互动平台提问:你好公司有涉及碳化硅吗。

赛微电子4月5日在投资者互动平台表示，GaN和SiC都属于第三代半导体，在宽禁带和击穿电场方面都有相同的特性，都适合做功率电子应用，氮化镓具有高导通能力，氮化镓的异质结是碳化硅不具备的，因此，氮化镓相对碳化硅更具有速率和效率方面的优势，另一方面碳化硅起步较早，更加成熟，有一定的成本优势，良率，热导率也会更好些，因此在超高压大功率有更强的散热优势简单来说，在功率系统里，大于10KW以上的汽车逆变器，轨道交通，发电等应用领域，碳化硅更有优势，在10KW以下的快充，智能家电，无线充电，服务器等应用领域，氮化镓有更多的优势当然，以上属于我们公司的理解，不一定权威，还请投资者多方咨询确认

今年3月份，斯达半导披露非公开发行预案，计划募资35亿元；直至本次披露最终认购结果，公司以330元/股发行价格，合计发行股数1060.61万股。截至11月16日收盘，斯达半导收盘价微涨报收449.3元/股。

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